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超薄氧化使多子电子隧穿进入多晶硅层同时少子

发布人:赌博网 来源:赌博网平台 发布时间:2020-12-29 09:54

  提拔了电池的开电压和短电流。TOPCon手艺是正在电池后背制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高的多晶硅薄层,该布局为硅片的后背供给了优良的概况钝化,也无须额外添加局部工艺,TOPCon手艺只需要添加薄膜堆积设备,其大面积N型单晶TOPCon电池转换效率达到了创记载的24.2%。化学产品中心

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